Díode HV sèrie HPT

Els díodes Schottky SiC de 1700 V i 2200 V són rectificadors de potència d'alta-tensió dissenyats per a la conversió d'energia d'alta-freqüència i alta-eficiència. En comparació amb els díodes de recuperació ràpida de silici convencionals, la tecnologia SiC proporciona un comportament de recuperació inversa-extremadament baix, pèrdues de commutació reduïdes i una excel·lent estabilitat a-temperatura elevada. La sèrie és adequada per a fonts d'alimentació d'alta tensió-, fonts d'alimentació làser, sistemes de raigs X{-, càrrega de condensadors, equips electrostàtics i electrònica de potència d'alta-freqüència industrial.

* 1700V i 2200V d'alta-tensió nominal

* Tecnologia de díodes Schottky de carbur de silici

* Pràcticament no hi ha corrent de recuperació-inversa convencional

* Pèrdues de commutació molt baixes

* Capacitat de commutació d'-alta freqüència

* Càrrec de recuperació-invertit baix

* Excel·lent rendiment-a alta temperatura

* Alta densitat de potència

* Reducció de l'estrès de commutació en dispositius d'alimentació

* Adequat per a fonts d'alimentació compactes-d'alta freqüència

* TO-220 i opcions de paquets personalitzats disponibles segons el disseny del producte

Els díodes de recuperació ràpida de silici convencionals utilitzen una unió PN i requereixen que la càrrega emmagatzemada s'elimini durant l'apagat-. La tecnologia SiC Schottky elimina el mecanisme d'emmagatzematge de portadors minoritari-convencional associat a la recuperació de la unió PN de silici, cosa que la fa especialment adequada per a aplicacions de commutació d'alta-freqüència.

Pot un díode de SiC substituir un díode de recuperació ràpida de silici?
En moltes aplicacions, un díode Schottky de SiC es pot utilitzar com a actualització o substitució d'un díode de recuperació ràpida de silici, però no s'ha de tractar com un reemplaçament universal de pin-a-.

Abans de substituir el díode de silici original, els enginyers haurien de verificar:

1. Tensió nominal inversa
2. Corrent directe mitjà
3. Corrents de pic i sobretensió
4. Caiguda de tensió directa
5. Capacitat de la unió
6. Resistència tèrmica
7. Freqüència de commutació
8. Configuració del paquet i del pin
9. Fluig i espai lliure de PCB
10. Transitoris de tensió del sistema i marge de seguretat

Admetem solucions personalitzades de díodes SiC d'alta tensió-per a aplicacions OEM i industrials.
La personalització es pot discutir segons:
* Tensió nominal
* Valoració actual
* Requisits de tensió directa
* Característiques de commutació
* Tipus de paquet
* Configuració de plom
* Requisits tèrmics
* Requisits de proves elèctriques
* Objectius de rendiment-específics de l'aplicació

Per als projectes OEM d'alta tensió-, els clients poden proporcionar la tensió del circuit, el corrent de funcionament, la freqüència de commutació, la temperatura de funcionament i el model de díode existent. El nostre equip d'enginyers pot recomanar una solució adequada de SiC de 1700 V o 2200 V.